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1N3123

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  • silicon diode
1N3123 技術參數
  • 1N3087R 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 150A DO205AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 電流 - 平均整流（Io）:150A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 150A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:17mA @ 300V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-205AC，DO-30，接線柱 供應商器件封裝:DO-205AC（DO-30） 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:10 1N3085 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 150A DO205AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:150A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 150A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25mA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-205AC，DO-30，接線柱 供應商器件封裝:DO-205AC（DO-30） 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:10 1N3070UR-1 功能描述:DIODE GEN PURP 175V 100MA DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:175V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 175V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AA，DO-7，軸向 供應商器件封裝:DO-7 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N3070TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 175V 不同?Vr，F 時的電容:5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C（最大） 標準包裝:1 1N3070-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:175V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AA，DO-7，軸向 供應商器件封裝:DO-7 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N3157UR-1 1N3161 1N3161R 1N3162 1N3162R 1N3163 1N3163R 1N3164 1N3164R 1N3165 1N3165R 1N3166 1N3166R 1N3167 1N3167R 1N3168 1N3168R 1N3169
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