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1N3509

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1N3509 技術參數

1N3508A 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N3507A 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N3506A 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:24 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N34A BK 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 50MA DO7 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:50mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 5mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AA，DO-7，軸向供應商器件封裝:DO-7 工作溫度 - 結:-55°C ~ 75°C 標準包裝:2,000 1N3477A 功能描述:DIODE ZENER 2.2V 250MW DO-7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AA，DO-7，軸向供應商器件封裝:DO-7 標準包裝:1 1N3518A 1N3519A 1N3520A 1N3521A 1N3522A 1N3523A 1N3524A 1N3525A 1N3526A 1N3527A 1N3528A 1N3529A 1N3530A 1N3531A 1N3532A 1N3533A 1N3534A 1N3595