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1N3607

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1N3607 技術參數

1N3600 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N3595US 功能描述:DIODE GEN PURP 4A DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:- 電流 - 平均整流（Io）:4A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1nA @ 125V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N3595UR-1 功能描述:DIODE GEN PURP 125V 150MA DO213 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:125V 電流 - 平均整流（Io）:150mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1nA @ 125V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N3595TR 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1nA @ 125V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:1 1N3595AUS 1N3612GP-E3/73 1N3612GPHE3/54 1N3612GPHE3/73 1N3612GP-M3/54 1N3612GP-M3/73 1N3613 1N3613GP-E3/54 1N3613GP-E3/73 1N3613GPHE3/54 1N3613GPHE3/73 1N3613GP-M3/54 1N3613GP-M3/73 1N3614 1N3614GP-M3/54 1N3614GP-M3/73 1N3643 1N3644 1N3645