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1N3649

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1N3649JAN
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
0
10
NA
-
全新原裝！優勢庫存熱賣中！

1N3649
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
DO-4,DO-203AA
25+
-
國產品牌，替代進口

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
STANDARD RECTIFIER (TRR MORE THAN 500NS) - Bulk

1N3649 技術參數

1N3647 功能描述:DIODE GEN PURP 3KV 600MA AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:3000V 電流 - 平均整流（Io）:600mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:5V @ 250mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2.5μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 3000V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 5V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向供應商器件封裝:軸向工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N3646 功能描述:DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1750V（1.75kV）電流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:5V @ 250mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1750V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:S，軸向供應商器件封裝:S，軸向工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N3645 功能描述:DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1400V（1.4kV）電流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:5V @ 250mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:S，軸向供應商器件封裝:S，軸向工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N3644 功能描述:MIL, QPL PART, 0.250A. 1500V REC 制造商:semtech corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N3643 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 250MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:5V @ 250mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:S，軸向供應商器件封裝:S，軸向工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N3744 1N3744R 1N3765 1N3765R 1N3766 1N3766R 1N3767 1N3767R 1N3768 1N3768R 1N3821 1N3821A-1 1N3821AUR-1 1N3822A-1 1N3822AUR-1 1N3823A-1 1N3823AUR-1 1N3824A-1