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1N3768TR

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1N3768TR 技術參數
  • 1N3768R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 1KV 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準型, 反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):35A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 35A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N3768 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):35A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 35A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N3767R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 900V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準型, 反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):900V 電流 - 平均整流(Io):35A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 35A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N3767 功能描述:DIODE GEN PURP 900V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):900V 電流 - 平均整流(Io):35A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 35A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N3766R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 800V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準型, 反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):35A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 35A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N3825A-1 1N3825AUR-1 1N3826A-1 1N3826AUR-1 1N3827A-1 1N3827AUR-1 1N3828A-1 1N3879 1N3879R 1N3880 1N3880R 1N3881 1N3881R 1N3882 1N3882R 1N3883 1N3883R 1N3889
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