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1N37O2

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1N37O2 技術參數

1N3779 1N3768R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 1KV 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N3768 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N3767R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 900V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:900V 電流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N3767 功能描述:DIODE GEN PURP 900V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:900V 電流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N3825A-1 1N3825AUR-1 1N3826A-1 1N3826AUR-1 1N3827A-1 1N3827AUR-1 1N3828A-1 1N3879 1N3879R 1N3880 1N3880R 1N3881 1N3881R 1N3882 1N3882R 1N3883 1N3883R 1N3889