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1N3881RS1

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1N3881RS1 技術參數
  • 1N3881R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準型, 反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5 1N3881 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5 1N3880R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準型, 反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5 1N3880 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5 1N3879R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準型, 反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5 1N3890R 1N3891 1N3891A 1N3891AR 1N3891R 1N3892 1N3892A 1N3892AR 1N3892R 1N3893 1N3893A 1N3893AR 1N3893R 1N3899 1N3899R 1N3900 1N3900R 1N3901
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