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1N3888

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1N3888
深圳市科思奇電子科技有限公司
深圳市科思奇電子科技有限公司
聯系人：林小姐/歐陽先生
電話：0755-832450508278593918923762408微信同號
地址：深圳市福田區上步工業區501棟1109-1110室
資質：營業執照
6000
MICROSEMI
原廠原裝
23+
-
只做原裝正品

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1

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1N3888 技術參數

1N3883R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5 1N3883 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5 1N3882R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 300V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5 1N3882 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5 1N3881R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5 1N3891R 1N3892 1N3892A 1N3892AR 1N3892R 1N3893 1N3893A 1N3893AR 1N3893R 1N3899 1N3899R 1N3900 1N3900R 1N3901 1N3901R 1N3902 1N3902R 1N3903