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1N4001-S3A

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

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1N4001-S3A 技術參數
  • 1N4001RLG 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N4001RL 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:10 1N4001L-T 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:15pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1N4001G-T 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:8pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N4001GP-M3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:15pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 工作溫度 - 結:-50°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 1N4002-E3/53 1N4002-E3/54 1N4002-E3/73 1N4002E-E3/53 1N4002E-E3/54 1N4002E-E3/73 1N4002G 1N4002-G 1N4002G A0G 1N4002G B0G 1N4002G BK 1N4002G R0G 1N4002G R1G 1N4002GHA0G 1N4002GHB0G 1N4002GHR0G 1N4002GHR1G 1N4002GL TR
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