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1N4001-TB

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制造商
WTE
制造商全稱
Won-Top Electronics
功能描述
1.0A SILICON RECTIFIER

1N4001-TB 技術參數

1N4001TA 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:5,000 1N4001-T 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N4001RLG 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N4001RL 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:10 1N4001L-T 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1N4002-E3/73 1N4002E-E3/53 1N4002E-E3/54 1N4002E-E3/73 1N4002G 1N4002-G 1N4002G A0G 1N4002G B0G 1N4002G BK 1N4002G R0G 1N4002G R1G 1N4002GHA0G 1N4002GHB0G 1N4002GHR0G 1N4002GHR1G 1N4002GL TR 1N4002GL-T 1N4002GP