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1N4003RLG ON

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1N4003RLG ON 技術參數
  • 1N4003RLG 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N4003RL 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:10 1N4003L-T 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1N4003G-T 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N4003GP-M3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結:-50°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 1N4004AT-82 1N4004B-G 1N4004-E3/53 1N4004-E3/54 1N4004-E3/73 1N4004E-E3/53 1N4004E-E3/54 1N4004E-E3/73 1N4004G 1N4004-G 1N4004G A0G 1N4004G B0G 1N4004G BK 1N4004G R0G 1N4004G R1G 1N4004GHA0G 1N4004GHB0G 1N4004GHR0G
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