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1N4005T

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說明
操作

1N4005T-G
深圳市興合盛科技發展有限公司
深圳市興合盛科技發展有限公司
聯系人：銷售部經理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區華強北上步工業區8棟829/北京市海淀區中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石
資質：營業執照
256
Comchip Technology
標準封裝
23+
-
真實的資源竭誠服務您！

1N4005TR
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INTERNATIONALRECTIFIER
ORIGINAL
最新批號
-
代理此型號，原裝特價現貨！

1N4005TR
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF
小批量也可
-
假一罰十，百分百原裝正品

1N4005T
深圳市湘達電子有限公司
深圳市湘達電子有限公司
聯系人：朱平
電話：0755-83229772-83202753
地址：辦公地址幫我改成深圳市福田區紅荔路上步工業區201棟東座4樓F02室
6486
DIODESINC
原廠
21+
-
百分百進口原裝現貨，價格有優勢。

1N4005TB52
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
5000
Lite On
DO41-RL
NA
-
全新原裝！優勢庫存熱賣中！

1N4005TA
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
36200
原廠
原廠原裝
18+
-
原裝現貨，優勢供應

1N4005TR
深圳市金嘉旭貿易有限公司
深圳市金嘉旭貿易有限公司
聯系人：金
電話：0755-832599640755-23884416
地址：中航北苑A座7A5
2788
TAIWAN SEMICONDUCTOR
N/A
18+
-
進口原裝特價出售

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制造商
Micro Commercial Components (MCC)
功能描述
Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-41 T/R

1N4005T 技術參數

1N4005RLG 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N4005RL 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 1N4005L-T 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1N4005G-T 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N4005GPP TR 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:生命周期結束二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 1N4006-E3/53 1N4006-E3/54 1N4006-E3/73 1N4006E-E3/54 1N4006E-E3/73 1N4006FF 1N4006FFG 1N4006G 1N4006-G 1N4006G A0G 1N4006G B0G 1N4006G BK 1N4006G R0G 1N4006G R1G 1N4006GHA0G 1N4006GHB0G 1N4006GHR0G 1N4006GHR1G

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