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1N4007GP-AP

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1N4007GP-AP 技術參數
  • 1N4007GP 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:15pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:25,000 1N4007GL-T 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:8pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 1N4007GHR1G 功能描述:DIODE GEN PURP 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1N4007GHR0G 功能描述:DIODE GEN PURP 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1N4007GHB0G 功能描述:DIODE GEN PURP 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 1N4007GPEHE3/73 1N4007GPEHE3/91 1N4007GPE-M3/54 1N4007GPE-M3/73 1N4007GPHE3/53 1N4007GPHE3/54 1N4007GPHE3/73 1N4007GPHM3/54 1N4007GPHM3/73 1N4007GP-M3/54 1N4007GP-M3/73 1N4007GPP BK 1N4007GPP TR 1N4007GP-TP 1N4007G-T 1N4007L-T 1N4007RL 1N4007RLG
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