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1N4134UR-1

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES

1N4134UR-1 技術參數

1N4134UR 功能描述:DIODE ZENER 91V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:91V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 69.16V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 1N4134-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N4134 (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 91V 400MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:91V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 69.16V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N4133UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N4133UR 功能描述:DIODE ZENER 87V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:87V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1000 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 66.12V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 1N4148,133 1N4148,143 1N4148_L99Z 1N4148_NT50A 1N4148_S00Z 1N4148_S62Z 1N4148_T26A 1N4148_T26R 1N4148_T50A 1N4148_T50R 1N4148-1 1N4148-1/TR 1N4148-1E3 1N4148-A 1N4148-G 1N4148-P-TAP 1N4148-P-TR 1N4148-T