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1N4150-T/R

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  • 1N4150-T/R
    1N4150-T/R

    1N4150-T/R

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 252630

  • VISHAY SE

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
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  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 功能描述
  • DIODE SMALL SIGNAL 50V DO-35
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 功能描述
  • DIODE, SMALL SIGNAL, 50V, DO-35
1N4150-T/R 技術參數
  • 1N4150-1 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N4150_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):6ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:2.5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:30,000 1N4150_T50A 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):6ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:2.5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:5,000 1N4150_T26A 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):6ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:2.5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:5,000 1N4150_S62Z 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:停產 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):6ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:2.5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:2,000 1N4150W-HE3-08 1N4150W-HE3-18 1N4151 1N4151_T50R 1N4151TAP 1N4151TR 1N4151W-E3-08 1N4151W-E3-18 1N4151W-G3-08 1N4151W-G3-18 1N4151W-HE3-08 1N4151W-HE3-18 1N4151WS-E3-08 1N4151WS-E3-18 1N4151WS-G3-08 1N4151WS-G3-18 1N4151WS-HE3-08 1N4151WS-HE3-18
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