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1N4150F

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價格
說明
操作

1N4150F
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
26
FSC
-
公司現貨!只做原裝!

1N4150F
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
853240
UNKNOWNSEMI
原廠封裝
最新批號
-
一級代理，原裝正品現貨！！

1N4150F3
深圳市興合盛科技發展有限公司
深圳市興合盛科技發展有限公司
聯系人：銷售部經理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區華強北上步工業區8棟829/北京市海淀區中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石
資質：營業執照
256
Vishay Semiconductors
標準封裝
23+
-
真實的資源竭誠服務您！

1/1頁 40條/頁共2條
1

您是不是要找： 1N4150TAP 1N4150TR 1N4150TR_S00Z 1N4150UR-1 1N4150UR-1/TR 1N4150W-E3-08 1N4150W-E3-18 1N4150W-G3-08 1N4150W-G3-18

1N4150F PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

1N4150F 技術參數

1N4150-1 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N4150_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:6ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:30,000 1N4150_T50A 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:6ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:5,000 1N4150_T26A 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:6ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:5,000 1N4150_S62Z 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:6ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:2,000 1N4150W-HE3-08 1N4150W-HE3-18 1N4151 1N4151_T50R 1N4151TAP 1N4151TR 1N4151W-E3-08 1N4151W-E3-18 1N4151W-G3-08 1N4151W-G3-18 1N4151W-HE3-08 1N4151W-HE3-18 1N4151WS-E3-08 1N4151WS-E3-18 1N4151WS-G3-08 1N4151WS-G3-18 1N4151WS-HE3-08 1N4151WS-HE3-18