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1N4448 A0G

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  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
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  • 1N4448 A0G
    1N4448 A0G

    1N4448 A0G

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:周小姐/高先生

    電話:1376027201718520805148

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 86889

  • Taiwan Semiconductor

  • DO-35-2

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
1N4448 A0G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
  • 制造商
  • taiwan semiconductor corporation
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶盒(TB)
  • 零件狀態
  • 在售
  • 二極管類型
  • 標準
  • 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值)
  • 100V
  • 電流 - 平均整流(Io)
  • 150mA
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf
  • 720mV @ 5mA
  • 速度
  • 小信號 =< 200mA(Io),任意速度
  • 反向恢復時間(trr)
  • 4ns
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 5μA @ 75V
  • 不同?Vr,F 時的電容
  • 4pF @ 0V,1MHz
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-204AH,DO-35,軸向
  • 供應商器件封裝
  • DO-35
  • 工作溫度 - 結
  • -65°C ~ 150°C
  • 標準包裝
  • 5,000
1N4448 A0G 技術參數
  • 1N4448 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr,F 時的電容:2pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:2,000 1N4447TR 功能描述:DIODE GEN PURP 100V DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):- 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:10,000 1N4447 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 20mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 20V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N4446TR 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 20mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 20V 不同?Vr,F 時的電容:4pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:10,000 1N4446_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 20mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 20V 不同?Vr,F 時的電容:4pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:30,000 1N4448HLP-7 1N4448HWS-13-F 1N4448HWS-7 1N4448HWS-7-F 1N4448HWT-7 1N4448-T 1N4448TAP 1N4448-TP 1N4448TR 1N4448TR_S00Z 1N4448W RHG 1N4448W-7 1N4448W-7-F 1N4448W-E3-08 1N4448W-E3-18 1N4448W-G3-08 1N4448W-G3-18 1N4448W-HE3-08
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