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1N4448HWT-F

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1N4448HWT-F 技術參數

1N4448HWT-7 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:125mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:3pF @ 0.5V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:SOD-523 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N4448HWS-7-F 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:3.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:SOD-323 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N4448HWS-7 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:3.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:SOD-323 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N4448HWS-13-F 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:3.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:10,000 1N4448HLP-7 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:125mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:3pF @ 0.5V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-UFDFN 供應商器件封裝:2-DFN1006（1.0x0.6）工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N4448W-E3-18 1N4448W-G3-08 1N4448W-G3-18 1N4448W-HE3-08 1N4448W-HE3-18 1N4448WQ-7-F 1N4448WS 1N4448WS RRG 1N4448WS-7 1N4448WS-7-F 1N4448WS-E3-08 1N4448WS-E3-18 1N4448WSF-7 1N4448WSFQ-7 1N4448WS-G3-08 1N4448WS-G3-18 1N4448WS-HE3-08 1N4448WS-HE3-18