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1N4730A133

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1N4730A133
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
NXP
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制造商
NXP
功能描述
制造商
NXP Semiconductors
功能描述

1N4730A133 技術參數

1N4730A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:6,000 1N4730A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 1N4730A_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 1W 5% DO-41 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:停產電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1,000 1N4730A,133 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 1W DO41 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 1N4730A,113 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 1W DO41 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 基本零件編號:1N4730 標準包裝:1 1N4730A-TP 1N4730ATR 1N4730A-TR 1N4730ATR_S00Z 1N4730AUR 1N4730CE3/TR13 1N4730CP/TR12 1N4730CP/TR8 1N4730CPE3/TR12 1N4730CPE3/TR8 1N4730E3/TR13 1N4730G A0G 1N4730G R0G 1N4730P/TR12 1N4730P/TR8 1N4730PE3/TR12 1N4730PE3/TR8 1N4731 G