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1N4756CP/TR12

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 1.0W, VZ = 47V, ? 2% - Tape and Reel
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 1.0W 47V 2% DO41
1N4756CP/TR12 技術參數
  • 1N4756CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):47V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:5,000 1N4756AUR 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 標準包裝:1 1N4756A-TR 功能描述:DIODE ZENER 47V 1.3W DO41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 1N4756A-TP 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO41G 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41G 標準包裝:1 1N4756A-TAP 功能描述:DIODE ZENER 47V 1.3W DO41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 1N4756PE3/TR8 1N4757 G 1N4757A 1N4757A A0G 1N4757A B0G 1N4757A BK 1N4757A G 1N4757A R0G 1N4757A R1G 1N4757A TR 1N4757A_T50A 1N4757A_T50R 1N4757AE3/TR13 1N4757AHA0G 1N4757AHB0G 1N4757AHR0G 1N4757AHR1G 1N4757AP/TR12
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