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1N4937RLGOSCT

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1N4937RLGOSCT 技術參數

1N4937RLG 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:300ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N4937RL 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:300ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:10 1N4937L-T 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1N4937L 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1N4937G-T 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1N4942GP-E3/54 1N4942GP-E3/73 1N4942GPHE3/54 1N4942GPHE3/73 1N4942GP-M3/54 1N4942GP-M3/73 1N4944 1N4944GP-E3/54 1N4944GP-E3/73 1N4944GPHE3/54 1N4944GPHE3/73 1N4944GP-M3/54 1N4944GP-M3/73 1N4946 1N4946GP-E3/54 1N4946GP-E3/73 1N4946GPHE3/54 1N4946GPHE3/73