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1N5221B A0G

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功能描述
DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35
制造商
taiwan semiconductor corporation
系列
-
包裝
帶盒（TB）
零件狀態
在售
電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）
2.4V
容差
±5%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
30 Ohms
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
100μA @ 1V
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf
1.1V @ 200mA
工作溫度
100°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-204AH，DO-35，軸向
供應商器件封裝
DO-35
標準包裝
5,000

1N5221B A0G 技術參數

1N5221B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5221B 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 1N5221A (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.4V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 950mV 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5221A 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5196UR 功能描述:DIODE GEN PURP 225V 200MA DO213 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:225V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 225V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5221B-TR 1N5221BUR-1 1N5221C-TAP 1N5221C-TR 1N5222A 1N5222A (DO-35) 1N5222B 1N5222B (DO-35) 1N5222B A0G 1N5222B BK 1N5222B TR 1N5222B_T50A 1N5222B_T50R 1N5222B-T 1N5222BTA 1N5222B-TAP 1N5222B-TP 1N5222B-TR