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1N5229B A0G

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  • 1N5229B A0G
    1N5229B A0G

    1N5229B A0G

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:曹先生/周小姐/高先生

    電話:134878658521376027201718520805148

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 95898

  • Taiwan Semiconductor

  • DO-35-2

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
1N5229B A0G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35
  • 制造商
  • taiwan semiconductor corporation
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態
  • 在售
  • 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz)
  • 4.3V
  • 容差
  • ±5%
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)
  • 22 Ohms
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 5μA @ 1V
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf
  • 1.1V @ 200mA
  • 工作溫度
  • 100°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-204AH,DO-35,軸向
  • 供應商器件封裝
  • DO-35
  • 標準包裝
  • 1
1N5229B A0G 技術參數
  • 1N5229B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):22 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5229B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5229A (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.3V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):22 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5229A 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5228TA 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.9V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):23 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 950mV 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5229BTR 1N5229B-TR 1N5229BUR-1 1N5229C 1N5229C-TAP 1N5229C-TR 1N5229DO35E3 1N5229TA 1N5230A 1N5230A (DO-35) 1N5230B 1N5230B (DO-35) 1N5230B A0G 1N5230B BK 1N5230B TR 1N5230B_S00Z 1N5230B_T26A 1N5230B_T50A
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