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1N5232TA

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  • 功能描述
  • DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
  • 制造商
  • smc diode solutions
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷（TR）
  • 零件狀態
  • 有效
  • 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）
  • 5.6V
  • 容差
  • -
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 阻抗（最大值）（Zzt）
  • 11 歐姆
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 5μA @ 3V
  • 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）
  • 1.1V @ 200mA
  • 工作溫度
  • 200°C
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-204AH，DO-35，軸向
  • 供應商器件封裝
  • DO-35
  • 標準包裝
  • 5,000
1N5232TA 技術參數
  • 1N5232C-TR 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:11 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5232C-TAP 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:11 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5232BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5232B-TR 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:11 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5232BTR 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:11 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5233B_T50R 1N5233BDO35 1N5233BDO35E3 1N5233B-T 1N5233BTA 1N5233B-TAP 1N5233B-TP 1N5233BTR 1N5233B-TR 1N5233BUR-1 1N5233C-TAP 1N5233C-TR 1N5233TA 1N5234A 1N5234A (DO-35) 1N5234B 1N5234B (DO-35) 1N5234B A0G
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