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1N5256B(0.5W30V)

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1N5256B(0.5W30V) PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

1N5256B(0.5W30V) 技術參數

1N5256B TR 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:49 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 23V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5256B BK 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:49 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 23V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N5256B A0G 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:49 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 23V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:100°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5256B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:49 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 23V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5256B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5256B-TR 1N5256BUR-1 1N5256C-TAP 1N5256C-TR 1N5256TA 1N5257A 1N5257A (DO-35) 1N5257B 1N5257B (DO-35) 1N5257B A0G 1N5257B BK 1N5257B TR 1N5257B_S00Z 1N5257B_T50A 1N5257B_T50R 1N5257B-G 1N5257B-T 1N5257BTA