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1N5257BT/R

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1N5257BT/R 技術參數
  • 1N5257B-T 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):58 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5257B-G 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):33V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):58 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5257B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):58 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5257B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):58 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5257B_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:停產 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):58 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 1N5258A 1N5258A (DO-35) 1N5258B 1N5258B (DO-35) 1N5258B A0G 1N5258B BK 1N5258B TR 1N5258B_T50A 1N5258B_T50R 1N5258B-T 1N5258BTA 1N5258B-TAP 1N5258B-TP 1N5258B-TR 1N5258BUR-1 1N5258C-TAP 1N5258C-TR 1N5258TA
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