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1N5262B A0G

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  • 功能描述
  • DIODE ZENER 51V 500MW DO35
  • 制造商
  • taiwan semiconductor corporation
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶盒(TB)
  • 零件狀態
  • 在售
  • 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz)
  • 51V
  • 容差
  • ±5%
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)
  • 125 Ohms
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 100nA @ 39V
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf
  • 1.1V @ 200mA
  • 工作溫度
  • 100°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-204AH,DO-35,軸向
  • 供應商器件封裝
  • DO-35
  • 標準包裝
  • 5,000
1N5262B A0G 技術參數
  • 1N5262B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):125 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 39V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5262B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5262A (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):51V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):125 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 37V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5262A 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5261TA 功能描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):47V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):105 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 36V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5262B-TP 1N5262B-TR 1N5262BUR-1 1N5262C-TAP 1N5262C-TR 1N5262TA 1N5263 1N5263A (DO-35) 1N5263B 1N5263B (DO-35) 1N5263B A0G 1N5263B BK 1N5263B TR 1N5263B_T50A 1N5263B_T50R 1N5263BDO35 1N5263B-T 1N5263B-T50R
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