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1N5273BUR-1

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 120V 5% 500MW 2PIN DO-213AA - Bulk
1N5273BUR-1 技術參數
  • 1N5273B-TP 功能描述:DIODE ZENER 120V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):120V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):900 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 91V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5273BDO35 功能描述:DIODE ZENER 120V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):120V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):900 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 91V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5273B TR 功能描述:DIODE ZENER 120V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):120V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):900 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 91V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5273B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 120V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):120V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):900 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 91V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5273A (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 120V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):120V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):900 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 86V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5275B (DO-35) 1N5275BDO35 1N5275B-TP 1N5275BUR-1 1N5276A 1N5276A (DO-35) 1N5276B (DO-35) 1N5276BDO35 1N5276B-TP 1N5276BUR-1 1N5277A (DO-35) 1N5277A(DO-35)TR 1N5277B (DO-35) 1N5277BUR-1 1N5278A 1N5278A (DO-35) 1N5278B (DO-35) 1N5278BDO35TR
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