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1N5282F

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1N5282F 技術參數(shù)
  • 1N5282_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 55V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:2.5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:30,000 1N5282 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 55V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:2.5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:2,000 1N5281BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1 1N5281BDO35TR 功能描述:DIODE ZENER 200V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):200V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):2500 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 152V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5281B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 200V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):200V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):2500 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 152V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5287UR-1 1N5288-1 1N5288UR-1 1N5289-1 1N5289UR-1 1N5291-1 1N5291UR-1 1N5292-1 1N5292UR-1 1N5293-1 1N5293UR-1 1N5294-1 1N5294UR-1 1N5295UR-1 1N5296-1 1N5296UR-1 1N5297-1 1N5298-1
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