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1N5349BT/R

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  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業執照

  • 51300

  • EIC

  • Standard

  • 2024+

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  • 絕對裝原現貨

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1N5349BT/R 技術參數
  • 1N5349BRLG 功能描述:DIODE ZENER 12V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:軸向 標準包裝:1 1N5349BRL 功能描述:DIODE ZENER 12V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:軸向 標準包裝:10 1N5349BG 功能描述:DIODE ZENER 12V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:軸向 標準包裝:1,000 1N5349BE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 12V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 8.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,000 1N5349BE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 12V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 8.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,250 1N5350/TR12 1N5350/TR8 1N5350A/TR12 1N5350A/TR8 1N5350AE3/TR12 1N5350AE3/TR13 1N5350AE3/TR8 1N5350B 1N5350B/TR12 1N5350B/TR8 1N5350BE3/TR12 1N5350BE3/TR13 1N5350BE3/TR8 1N5350BG 1N5350BRL 1N5350BRLG 1N5350B-TP 1N5350C/TR12
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