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1N5361AE3/TR12

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 5.0W, VZ = 27V, ? 10% - Tape and Reel
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 5.0W 27V 10% T-18
1N5361AE3/TR12 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5361A/TR8 功能描述:DIODE ZENER 27V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):27V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 19.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5361A/TR12 功能描述:DIODE ZENER 27V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):27V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 19.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N5361/TR8 功能描述:DIODE ZENER 27V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):27V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 19.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5361/TR12 功能描述:DIODE ZENER 27V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):27V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 19.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N5360E3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 25V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):25V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):4 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 18V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5361BRL 1N5361BRLG 1N5361B-TP 1N5361C/TR12 1N5361C/TR8 1N5361CE3/TR12 1N5361CE3/TR13 1N5361CE3/TR8 1N5361E3/TR12 1N5361E3/TR13 1N5361E3/TR8 1N5362/TR12 1N5362/TR8 1N5362A/TR12 1N5362A/TR8 1N5362AE3/TR12 1N5362AE3/TR13 1N5362AE3/TR8
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