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1N5364A

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  • 1N5364A
    1N5364A

    1N5364A

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人:賴(lài)先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • EIC

  • Standard

  • 2025+

  • -
  • 頂級(jí)代理原裝現(xiàn)貨假一賠十

  • 1N5364AE3/TR13
    1N5364AE3/TR13

    1N5364AE3/TR13

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:周小姐/高先生/曹先生

    電話:137602720171852080514813487865852

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 51064

  • Microchip / Microsemi

  • T-18-2

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • 1N5364A
    1N5364A

    1N5364A

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • EIC

  • 原廠封裝

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1N5364A 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5364/TR8 功能描述:DIODE ZENER 33V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):33V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 23.8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5364/TR12 功能描述:DIODE ZENER 33V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):33V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 23.8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N5363E3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 30V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):30V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 21.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5363E3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 30V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):30V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 21.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 1N5363E3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 30V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):30V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 21.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N5364BE3/TR13 1N5364BE3/TR8 1N5364BG 1N5364BRL 1N5364BRLG 1N5364B-TP 1N5364C/TR12 1N5364C/TR8 1N5364CE3/TR12 1N5364CE3/TR13 1N5364CE3/TR8 1N5364E3/TR12 1N5364E3/TR13 1N5364E3/TR8 1N5365/TR12 1N5365/TR8 1N5365A/TR12 1N5365A/TR8
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