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1N5383AE3/TR8

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 5.0W, VZ = 150V, ? 10% - Tape and Reel
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 5.0W 150V 10% T-18
1N5383AE3/TR8 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5383AE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 150V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):150V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):330 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 108V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標準包裝:1,250 1N5383AE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 150V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):150V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):330 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 108V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標準包裝:3,000 1N5383A/TR8 功能描述:DIODE ZENER 150V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):150V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):330 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 108V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標準包裝:1,000 1N5383A/TR12 功能描述:DIODE ZENER 150V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):150V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):330 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 108V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標準包裝:3,000 1N5383/TR8 功能描述:DIODE ZENER 150V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):150V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):330 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 108V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標準包裝:1,000 1N5383C/TR12 1N5383C/TR8 1N5383CE3/TR12 1N5383CE3/TR13 1N5383CE3/TR8 1N5383E3/TR12 1N5383E3/TR13 1N5383E3/TR8 1N5384/TR12 1N5384/TR8 1N5384A/TR12 1N5384A/TR8 1N5384AE3/TR12 1N5384AE3/TR13 1N5384AE3/TR8 1N5384B 1N5384B/TR12 1N5384B/TR8
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