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1N5384B,G

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1N5384B,G 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5384B 功能描述:DIODE ZENER 160V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):160V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):350 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 115V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N5384AE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 160V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):160V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):350 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 115V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5384AE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 160V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):160V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):350 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 115V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 1N5384AE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 160V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):160V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):350 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 115V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N5384A/TR8 功能描述:DIODE ZENER 160V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):160V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):350 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 115V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5384C/TR8 1N5384CE3/TR12 1N5384CE3/TR13 1N5384CE3/TR8 1N5384E3/TR12 1N5384E3/TR13 1N5384E3/TR8 1N5385/TR12 1N5385/TR8 1N5385A/TR12 1N5385A/TR8 1N5385AE3/TR12 1N5385AE3/TR13 1N5385AE3/TR8 1N5385B/TR12 1N5385B/TR8 1N5385BE3/TR12 1N5385BE3/TR13
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