1N5529B

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1N5529BJANT
深圳市華芯盛世科技有限公司
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865000
MicrosemiCorporation
原廠封裝
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！！

1N5529B (DO35)
深圳市芯脈實業有限公司
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聯系人：周小姐/曹先生/高先生
電話：137602720171348786585218520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
73538
Microsemi Corporation
DO-204AH, DO-35, Axi
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

1N5529B (DO35)
深圳市芯脈實業有限公司
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45827
Microchip / Microsemi
DO-35-2
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

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1N5529B 技術參數

1N5528BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5528B (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 7.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5528B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5527BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5527B (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:35 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5532B (DO35) 1N5532BUR-1 1N5533B 1N5533BUR-1 1N5534B 1N5534BUR-1 1N5535B 1N5535BUR-1 1N5536B 1N5536BUR-1 1N5537B 1N5537BUR-1 1N5538B 1N5538BUR-1 1N5539B 1N5539BUR-1 1N5540B 1N5540BUR-1

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