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1N5610JANTX

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述

1N5610JANTX 技術參數

1N5610 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM 47.6VC G-PKG 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:30.5V 電壓 - 擊穿（最小值）:33V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:47.6V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:32A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:G，軸向供應商器件封裝:G，軸向標準包裝:1 1N5558 功能描述:TVS DIODE 175VWM 265VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:175V 電壓 - 擊穿（最小值）:191V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:265V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:5.7A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13 標準包裝:1 1N5557 功能描述:TVS DIODE 49VWM 78.5VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:49V 電壓 - 擊穿（最小值）:54V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:78.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:19A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13 標準包裝:1 1N5556 功能描述:TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:40.3V 電壓 - 擊穿（最小值）:43.7V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:63.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:24A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13 標準包裝:1 1N5555 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:30.5V 電壓 - 擊穿（最小值）:33V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:47.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:32A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13 標準包裝:1 1N5615GP-E3/73 1N5615GPHE3/54 1N5615US 1N5615US/TR 1N5616 1N5616C.TR 1N5616US 1N5617 1N5617C.TR 1N5617GP-E3/54 1N5617GP-E3/73 1N5617GPHE3/54 1N5617US 1N5618 1N5618GP-E3/54 1N5618GPHE3/54 1N5618US 1N5619