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1N5625GP-E3/73

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1N5625GP-E3/73 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • DIODE GEN PURPOSE DO204AC
  • 制造商
  • vishay semiconductor diodes division
  • 系列
  • *
  • 零件狀態(tài)
  • 停產
  • 標準包裝
  • 2,000
1N5625GP-E3/73 技術參數
  • 1N5625GP-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):5μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr,F 時的電容:40pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5624-TR 功能描述:DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):7.5μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:60pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-64,軸向 供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5624-TAP 功能描述:DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):7.5μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:60pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-64,軸向 供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:2,500 1N5624GPHE3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:40pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1,400 1N5624GP-E3/73 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:* 零件狀態(tài):停產 標準包裝:2,000 1N5627GP-E3/73 1N5627GPHE3/54 1N5627-TAP 1N5627-TR 1N5629 1N5629A 1N5630 1N5630A 1N5631 1N5631A 1N5632 1N5632A 1N5633 1N5633A 1N5634 1N5634A 1N5635 1N5635A
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