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1N5729

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1N5729B
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
VISHAY/NJ
DO-35
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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON 400MW ZENER DIODES

1N5729 技術參數

1N5728D 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5728C 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5728B 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5719 功能描述:DIODE PIN GEN PURP SW 150V AXIAL 制造商:broadcom limited 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期二極管類型:PIN - 單電壓 - 峰值反向（最大值）:150V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 時的電容:0.3pF @ 100V，1MHz 不同?If，F 時的電阻:1.25 歐姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:- 標準包裝:100 1N5712UR-1 功能描述:SCHOTTKY DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5732B 1N5732C 1N5732D 1N5733B 1N5733C 1N5733D 1N5734B 1N5734C 1N5734D 1N5735B 1N5735C 1N5735D 1N5736B 1N5736C 1N5736D 1N5737B 1N5737C 1N5737D