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1N5755D

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1N5755D PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 62V 500MW DO35
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態
  • 有效
  • 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz)
  • 62V
  • 容差
  • ±1%
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)
  • 215 歐姆
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 100nA @ 43V
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf)
  • 900mV @ 10mA
  • 工作溫度
  • -65°C ~ 175°C
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-204AH,DO-35,軸向
  • 供應商器件封裝
  • DO-35
  • 標準包裝
  • 1
1N5755D 技術參數
  • 1N5755C 功能描述:DIODE ZENER 62V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):62V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):215 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5755B 功能描述:DIODE ZENER 62V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):62V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):215 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5754D 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 39V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5754C 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 39V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5754B 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 39V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5770 1N5772 1N5774 1N5802 1N5802US 1N5803 1N5804 1N5804US 1N5805 1N5806 1N5806/TR 1N5806C.TR 1N5806E3/TR 1N5806TR 1N5806US 1N5806US/TR 1N5806USE3 1N5806USE3/TR
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