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1N5759

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  • DIAC (BIDIRECTIONAL DIODE THYRISTOR)|28V V(BO) MAX|100UA I(S)|TO-92
1N5759 技術參數
  • 1N5757D 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):75V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):255 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 53V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5757C 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):75V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):255 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 53V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5757B 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):75V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):255 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 53V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5756D 功能描述:DIODE ZENER 68V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):68V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):240 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 48V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5756C 功能描述:DIODE ZENER 68V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):68V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):240 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 48V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5804 1N5804US 1N5805 1N5806 1N5806/TR 1N5806C.TR 1N5806E3/TR 1N5806TR 1N5806US 1N5806US/TR 1N5806USE3 1N5806USE3/TR 1N5807 1N5807US 1N5808 1N5809 1N5809/TR 1N5809US
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