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1N576120

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1N576120 技術(shù)參數(shù)

1N5757D 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:75V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:255 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 53V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5757C 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:75V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:255 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 53V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5757B 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:75V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:255 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 53V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5756D 功能描述:DIODE ZENER 68V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:68V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:240 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 48V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5756C 功能描述:DIODE ZENER 68V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:68V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:240 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 48V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5804 1N5804US 1N5805 1N5806 1N5806/TR 1N5806C.TR 1N5806E3/TR 1N5806TR 1N5806US 1N5806US/TR 1N5806USE3 1N5806USE3/TR 1N5807 1N5807US 1N5808 1N5809 1N5809/TR 1N5809US