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1N5804SM

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制造商
Semtech Corporation
功能描述

1N5804SM 技術參數

1N5804 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5803 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5802US 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5802 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5774 功能描述:TVS DIODE 14CFLATPACK 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售類型:轉向裝置（軌至軌）單向通道:8 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:- 電壓 - 擊穿（最小值）:- 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:- 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:- 電源線路保護:無應用:以太網不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:14-扁平封裝供應商器件封裝:14-扁平封裝標準包裝:1 1N5806USE3 1N5806USE3/TR 1N5807 1N5807US 1N5808 1N5809 1N5809/TR 1N5809US 1N5809US.TR 1N5811 1N5811C.TR 1N5811TR 1N5811US 1N5811US/TR 1N5812 1N5812R 1N5813 1N5813R