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1N5806E3

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供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

1N5806E3
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
MICROSEMI
AXIAL
最新批號
-
一級代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

1N5806E3/TR
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：周小姐/高先生
電話：1376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
66280
Microchip / Microsemi
A-Package-2
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

1N5806E3
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯(lián)系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
100000
MICROSEMI
N/A
15+
-
原裝正品價(jià)格優(yōu)勢！

1/1頁 40條/頁共3條
1

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1N5806E3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
1N5806E3 - Bulk

1N5806E3 技術(shù)參數(shù)

1N5806C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:875mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:25ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 5V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向供應(yīng)商器件封裝:軸向工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5806/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:975mV @ 2.5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:25ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應(yīng)商器件封裝:A，軸向工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 1N5806 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 3.3A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:3.3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:875mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:25ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 5V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向供應(yīng)商器件封裝:軸向工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5805 功能描述:DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:125V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:25ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 125V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5804US 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:25ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5809 1N5809/TR 1N5809US 1N5809US.TR 1N5811 1N5811C.TR 1N5811TR 1N5811US 1N5811US/TR 1N5812 1N5812R 1N5813 1N5813R 1N5814 1N5814R 1N5815 1N5815R 1N5816