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1N5814JAN

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1N5814JAN 技術(shù)參數(shù)

1N5814 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 20A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:300pF @ 10V，1MHz 安裝類型:接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應(yīng)商器件封裝:DO-203AA 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5813R 功能描述:RECTIFIER DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5813 功能描述:RECTIFIER DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5812R 功能描述:RECTIFIER DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5812 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 20A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:15ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:300pF @ 10V，1MHz 安裝類型:接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應(yīng)商器件封裝:DO-203AA 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5817 R0G 1N5817 R1G 1N5817 TR 1N5817/54 1N5817-B 1N5817-E3/53 1N5817-E3/54 1N5817-E3/73 1N5817G 1N5817HA0G 1N5817HB0G 1N5817HR0G 1N5817HR1G 1N5817M-13 1N5817RL 1N5817RLG 1N5817-T 1N5817-TP