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1N5820 THRU 1N5822

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1N5820 THRU 1N5822 技術參數

1N5820 R0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:475mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 20V 不同?Vr，F 時的電容:200pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1,250 1N5820 B0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:475mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 20V 不同?Vr，F 時的電容:200pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:500 1N5820 A0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:475mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 20V 不同?Vr，F 時的電容:200pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:500 1N5820 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:475mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 20V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:600 1N5819UR-1/TR 功能描述:SCHOTTKY 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:490mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 45V 不同?Vr，F 時的電容:70pF @ 5V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:100 1N5820-T 1N5820-TP 1N5820US 1N5821 1N5821 A0G 1N5821 B0G 1N5821 R0G 1N5821-B 1N5821-E3/54 1N5821G 1N5821HA0G 1N5821HB0G 1N5821HR0G 1N5821RL 1N5821RLG 1N5821-T 1N5821-TP 1N5821US