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1N5822W

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1N5822W 技術參數
  • 1N5822US 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):500mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100mA @ 40V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應商器件封裝:B,SQ-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5822-TP 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):525mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 40V 不同?Vr,F 時的電容:200pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5822-T 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):525mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 40V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5822RLG 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):525mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 40V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AA,DO-27,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5822RL 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):525mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 40V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AA,DO-27,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:10 1N5829R 1N5830 1N5830R 1N5831 1N5831R 1N5832 1N5832R 1N5833 1N5833R 1N5834 1N5834R 1N5907 1N5908 1N5908G 1N5908RL4 1N5908RL4G 1N5913A 1N5913A G
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