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1N5830( R )

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1N5830( R ) 技術參數

1N5830 功能描述:DIODE SCHOTTKY 25V 25A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:25V 電流 - 平均整流（Io）:25A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:580mV @ 25A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 20V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:100 1N5829R 功能描述:DIODE SCHOTTKY REV 20V DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:肖特基，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:25A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:580mV @ 25A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 20V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:100 1N5829 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 25A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:25A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:580mV @ 25A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 20V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:100 1N5828R 功能描述:DIODE SCHOTTKY REV 40V DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:肖特基，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:15A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:500mV @ 15A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10mA @ 20V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:100 1N5828 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 15A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:15A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:500mV @ 15A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10mA @ 20V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:100 1N5907 1N5908 1N5908G 1N5908RL4 1N5908RL4G 1N5913A 1N5913A G 1N5913AE3/TR13 1N5913AP/TR12 1N5913AP/TR8 1N5913APE3/TR12 1N5913APE3/TR8 1N5913B 1N5913B G 1N5913BE3/TR13 1N5913BG 1N5913BP/TR12 1N5913BP/TR8