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1N5831TX

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1N5831TX 技術參數
  • 1N5831R 功能描述:DIODE SCHOTTKY REV 35V DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基,反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):35V 電流 - 平均整流(Io):25A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):580mV @ 25A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 20V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:100 1N5831 功能描述:DIODE SCHOTTKY 35V 25A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):35V 電流 - 平均整流(Io):25A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):580mV @ 25A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 20V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:100 1N5830R 功能描述:DIODE SCHOTTKY REV 25V DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基,反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):25V 電流 - 平均整流(Io):25A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):580mV @ 25A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 20V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:100 1N5830 功能描述:DIODE SCHOTTKY 25V 25A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):25V 電流 - 平均整流(Io):25A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):580mV @ 25A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 20V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:100 1N5829R 功能描述:DIODE SCHOTTKY REV 20V DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基,反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):20V 電流 - 平均整流(Io):25A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):580mV @ 25A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 20V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:100 1N5908RL4 1N5908RL4G 1N5913A 1N5913A G 1N5913AE3/TR13 1N5913AP/TR12 1N5913AP/TR8 1N5913APE3/TR12 1N5913APE3/TR8 1N5913B 1N5913B G 1N5913BE3/TR13 1N5913BG 1N5913BP/TR12 1N5913BP/TR8 1N5913BPE3/TR12 1N5913BPE3/TR8 1N5913BRL
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