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1N5917C

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1N5917C PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • Zener Diode
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • *
  • 零件狀態
  • 在售
  • 標準包裝
  • 1
1N5917C 技術參數
  • 1N5917BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1.25W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.25W 阻抗(最大值)(Zzt):5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 標準包裝:1 1N5917BRLG 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 3W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:軸向 標準包裝:1 1N5917BRL 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 3W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:軸向 標準包裝:6,000 1N5917BPE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1.5W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1,500 1N5917BPE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1.5W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:4,000 1N5917P/TR12 1N5917P/TR8 1N5917PE3/TR12 1N5917PE3/TR8 1N5918A 1N5918A G 1N5918AE3/TR13 1N5918AP/TR12 1N5918AP/TR8 1N5918APE3/TR12 1N5918APE3/TR8 1N5918B 1N5918B BK 1N5918B G 1N5918B TR 1N5918BE3/TR13 1N5918BP/TR12 1N5918BP/TR8
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