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1N5956BRLGOSCT

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1N5956BRLGOSCT 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5956BRLG 功能描述:DIODE ZENER 200V 3W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):200V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 152V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5956BRL 功能描述:DIODE ZENER 200V 3W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):200V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 152V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:6,000 1N5956BPE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 200V 1.5W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):200V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 152V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 1N5956BPE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 200V 1.5W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):200V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 152V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 1N5956BP/TR8 功能描述:DIODE ZENER 200V 1.5W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):200V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 152V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 1N5956D G 1N5956E3/TR13 1N5956P/TR12 1N5956P/TR8 1N5956PE3/TR12 1N5956PE3/TR8 1N5968 1N5969 1N5985A 1N5985B 1N5985B BK 1N5985B TR 1N5985B_T50A 1N5985B_T50R 1N5985C 1N5985D 1N5985UR 1N5985UR-1
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